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| Ge-SiO2薄膜的XPS研究 | |
| 引用本文： | 叶春暖,汤乃云,吴雪梅,诸葛兰剑,余跃辉,姚伟国. Ge-SiO2薄膜的XPS研究[J]. 微细加工技术, 2002, 0(1): 36-39 |
| 作者姓名： | 叶春暖 汤乃云 吴雪梅 诸葛兰剑 余跃辉 姚伟国 |
| 作者单位： | 1. 苏州大学物理系,苏州,215006 2. 苏州大学分析测试中心,苏州,215006 3. 中国科学院上海冶金所,上海,200050 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (6 9876 0 4 3) |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜，在N2气氛下进行300℃到1000℃的退火处理30分钟，对样品进行XPS分析，研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态，为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据。结合XRD谱图分析结构可发现，退火处理对纳米晶粒的形成与长大起着关键作用。随着退火温度的升高，样品中的Si向高价态转化，Ge则向低价态转化；GeO含量在800℃退火样品中为最大，高于800℃退火样品中急剧减少。 |
| 关 键 词： | Ge－SiO2薄膜 溅射 XPS谱 退火 |
| 文章编号： | 1003-8213(2002)01-0036-04 |
| 修稿时间： | 2001-04-17 |
XPS Analysis of Ge-SiO2 Thin Film |
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| YE Chun nuan ,TANG Nai yun ,WU Xue mei ,ZHUGE Lan jian ,YU Yue hui ,YAO Wei guo. XPS Analysis of Ge-SiO2 Thin Film[J]. Microfabrication Technology, 2002, 0(1): 36-39 | |
| Authors: | YE Chun nuan TANG Nai yun WU Xue mei ZHUGE Lan jian YU Yue hui YAO Wei guo |
| Affiliation: | YE Chun nuan 1,TANG Nai yun 1,WU Xue mei 1,ZHUGE Lan jian 2,YU Yue hui 3,YAO Wei guo 1 |
| Abstract: | |
| Keywords: | Ge SiO 2 thin film sputtering XPS annealing |
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