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光刻机的分辨率和对准特性研究
引用本文:唐九耀,曹向群,等.光刻机的分辨率和对准特性研究[J].光电子.激光,2001,12(11):1202-1203.
作者姓名:唐九耀  曹向群
作者单位:浙江大学国家光学仪器工程技术研究中心,
基金项目:浙江省科技计划资助项目 ( 0 0 110 14 2 0 )
摘    要:本文以PLA-501F光刻机为例,研究如何使光刻机的分辨率和对准精度得到充分发挥。指出了光源、光刻胶、滤光片和主物镜的相互匹配是充分发挥光刻机分辨率的关键问题;在提高光刻工件的对准精度方面,牵涉到母板的套准图形设计及对准时的技巧。本文还分析了接近式曝光和接触式曝光的主要优缺点。

关 键 词:光刻机  分辨率  对准特性
文章编号:1005-0086(2001)11-1202-02
修稿时间:2001年2月20日

Research on the Resolution and Alignment Limit of a Mask Aligner
TANG Jiu yao,CAO Xiang qun,CHEN Yu qing.Research on the Resolution and Alignment Limit of a Mask Aligner[J].Journal of Optoelectronics·laser,2001,12(11):1202-1203.
Authors:TANG Jiu yao  CAO Xiang qun  CHEN Yu qing
Abstract:It is studied how to reach the resolution and alignment limit of a mask aligner with PLA 501F as a instance in this paper.It is stressed that the mutual coordination of light source,photo resist,filter and main lens,is the key point to reach the resolution limit of a photo lithographer,the alignment pattern design and the alignment skill play an in portent role in improving the alignment accuracy of a photo lithographer.Moreover the merits and de merits of contact and proximity exposure is analyzed in the paper.
Keywords:photolithographic  resolution  alignment
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