|
|||||
|
|
| GDARE法制备不同厚度ZnO薄膜的热电性质 | |
| 引用本文： | 孙海涛,李成武,陆慧,方彬,林贤,王艳南,潘孝仁.GDARE法制备不同厚度ZnO薄膜的热电性质[J].真空科学与技术学报,2011,31(3):292-296. |
| 作者姓名： | 孙海涛 李成武 陆慧 方彬 林贤 王艳南 潘孝仁 |
| 作者单位： | 1. 华东理工大学物理系,上海,200237 2. 华东理工大学核物理研究所,上海,200237 3. 华东理工大学材料科学与工程学院,上海,200237 |
| 摘 要： | 以气体放电活化反应蒸发(GDARE)沉积法通过多次沉积制备不同厚度ZnO薄膜。原子力显微镜和X射线衍射测试分析表明,所得ZnO薄膜具有纳米颗粒多晶结构,粒径在30~70 nm,晶粒尺寸随薄膜厚度增加而增大,不同厚度的薄膜均具有高度的c轴取向性。由GDARE法沉积的ZnO薄膜具有较高的温差电动势率S(Seebeck系数),厚度200 nm的薄膜在440K附近S可达600μV/K。相同温度下,薄膜的温差电动势率S与电阻率ρ均随着膜厚的增加而减小。在考察了薄膜电阻率与温差电动势率的综合影响后,得到在440 K附近,厚度为600 nm的ZnO薄膜具有相对最优秀的热电性能。讨论了ZnO薄膜的表面电传导过程及温差电动势产生机制。 |
| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 结构 温差电动势率 电阻率 |
Thermoelectric Property of Different Thickness ZnO Films Grown by Gas Discharge Activated Reaction Evaporation |
|
| Sun Haitao,Li Chengwu,Lu Hui,Fang Bin,Lin Xian,Wang Yannan,Pan Xiaoren.Thermoelectric Property of Different Thickness ZnO Films Grown by Gas Discharge Activated Reaction Evaporation[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2011,31(3):292-296. | |
| Authors: | Sun Haitao Li Chengwu Lu Hui Fang Bin Lin Xian Wang Yannan Pan Xiaoren |
| Affiliation: | Sun Haitao1,Li Chengwu1,Lu Hui1,Fang Bin2,Lin Xian1,Wang Yannan3,Pan Xiaoren1 (1.Department of Physics,2.Institute of Nuclear Physics,3.School of Materials Science and Engineering,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | Zinc oxide thin film Structure Thermoelectric power Resistivity |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |