Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te的离子束磨削

本文用透射电子显微镜研究了经氩离子束磨削过的Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te的缺陷结构。当磨削束流密度为600μAcm~(-2)时,会产生高密度的小位错坑。这些位错坑具有巴尔格矢量为1/2 o〈110〉的棱边取向和具有填隙性质。这些位错位于磨削表面下大约50nm的窄带内,比氩离子射程大一个数量级。于是认为以级联形式出现的填隙就从较热表面区域扩散到样品体内。由于该材料中的快速扩散,填隙浓度梯度很小,于是在较冷的深层区域的过饱和填隙要超过该表面的填隙,因而这个深度利于成核。也观察到了在室温下储藏一时期后,这些位错坑有收缩现象,表明了在这种材料中的快速扩散。