| 元素分布和裂纹对PMN-32PT单晶电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 惠增哲,罗海龙,龙伟,刘健康. 元素分布和裂纹对PMN-32PT单晶电学性能的影响[J]. 西安工业大学学报, 2008, 28(1): 32-35 |
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| 作者姓名： | 惠增哲 罗海龙 龙伟 刘健康 |
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| 作者单位： | 西安工业大学材料与化工学院,西安710032 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 陕西省教育厅资助项目 , 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室项目 |
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| 摘 要： | 为寻求PMN-32PT单晶电学性能不稳定的成因,利用准静态压电常数测试仪、数字电桥和EDS对[001]切型PMN-32PT 单晶的电学性能和成分分布进行了对比分析,并考察了裂纹对晶体电学性能的影响.结果表明,元素分布的不均匀是造成[001]切型PMN-32PT单晶电学性能不均匀的重要原因,其中Ti对晶体的压电性能有正的贡献而Nb与之相反,Mg对介电常数有正的贡献;裂纹对晶体的电学性能影响显著,在裂纹处,PMN-32PT单晶的电学性能急剧下降.
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| 关 键 词： | 压电 介电 单晶 成分分布 元素分布 裂纹 单晶 电学性能 性能影响 Single Crystals Dielectric Properties Piezoelectric Crack Element Distribution 介电常数 压电性能 均匀 结果 晶体 考察 分析 成分分布 切型 数字电桥 |
| 文章编号： | 1673-9965(2008)01-032-04 |
| 修稿时间： | 2007-12-21 |
Influence of Element Distribution and Crack Upon Piezoelectric and Dielectric Properties of PMN-32PT Single Crystals |
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| XI Zeng-zhe,LUO Hai-long,LONG Wei,LIU Jian-kang. Influence of Element Distribution and Crack Upon Piezoelectric and Dielectric Properties of PMN-32PT Single Crystals[J]. Journal of Xi'an Institute of Technology, 2008, 28(1): 32-35 |
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| Authors: | XI Zeng-zhe LUO Hai-long LONG Wei LIU Jian-kang |
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