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| SiCw／MoSi2的化学炉自蔓延高温合成及反应过程研究 | |
| 引用本文： | 许剑光,张厚安,张宝林,李文兰.SiCw／MoSi2的化学炉自蔓延高温合成及反应过程研究[J].矿冶工程,2008,28(4). |
| 作者姓名： | 许剑光 张厚安 张宝林 李文兰 |
| 作者单位： | [1]湖南科技大学先进材料制备与应用技术研究所,湖南湘潭411201 [2]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050 |
| 摘 要： | 采用“化学炉”自蔓延高温合成（COSHS）技术，成功地原位合成了SiCw／MoSi2复合粉体。通过在原料中引入Si3N4晶须，在产物中获得了SiC晶须。XRD结果表明，产物中除了主要的MoSi2和SiC相，还含有少量的Mo4.8SiC0.6。研究了中间产物的相组成和反应过程中的温度变化，指出“化学炉”自蔓延合成SiCw／MoSi2复合粉体的反应过程包括如下两步反应：①Mo与Si自蔓延反应生成MoSi2；②Si3N4与C反应生成SiC和N2。 |
| 关 键 词： | MoSi2 SiC晶须 “化学炉”自蔓延高温合成 原位复合 |
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