SiCw/MoSi2的化学炉自蔓延高温合成及反应过程研究 |
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作者姓名: | 许剑光 张厚安 张宝林 李文兰 |
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作者单位: | [1]湖南科技大学先进材料制备与应用技术研究所,湖南湘潭411201 [2]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050 |
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摘 要: | 采用“化学炉”自蔓延高温合成(COSHS)技术,成功地原位合成了SiCw/MoSi2复合粉体。通过在原料中引入Si3N4晶须,在产物中获得了SiC晶须。XRD结果表明,产物中除了主要的MoSi2和SiC相,还含有少量的Mo4.8SiC0.6。研究了中间产物的相组成和反应过程中的温度变化,指出“化学炉”自蔓延合成SiCw/MoSi2复合粉体的反应过程包括如下两步反应:①Mo与Si自蔓延反应生成MoSi2;②Si3N4与C反应生成SiC和N2。
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关 键 词: | MoSi2 SiC晶须 “化学炉”自蔓延高温合成 原位复合 |
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