|
|||||
|
|
| Ku波段20W GaN功率MMIC | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所;2.微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 |
| 摘 要： | 报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲输出功率大于20 W,功率附加效率大于36%,最高39%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT 101.6mm(4英寸)圆片工艺制造,芯片尺寸为2.3mm×1.9mm。 |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN GaN功率放大器 Ku波段 微波单片集成电路 |
20W Ku-band Power Amplifier MMIC Based on GaN Technology |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |