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| 基于层流模型的CVD外延流场仿真 | |
| 作者单位： | ;1.中国电子科技集团公司第四十六研究所硅外延材料事业部 |
| 摘 要： | 在化学气相沉积(CVD)过程中运用COMSOL Multiphysics建立硅外延生长的层流模型,研究了不同气流设置条件下反应腔体内的气流状态和流速分布。通过优化流场设置,获得了稳定且均匀的气流分布,同时,分析了气流分布对硅外延片生长速率和厚度均匀性的影响。利用LPE-3061D平板式外延炉进行了工艺验证,在重掺Sb衬底上进行硅外延沉积,在优化流场下制备出的硅外延片厚度标准偏差达到0.38%。 |
| 关 键 词： | 硅外延片 流场 层流 均匀性 |
Simulation of Flow Field in CVD Epitaxy Base on Laminar Model |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |