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| 双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真 | |
| 作者单位： | ;1.江南大学物联网工程学院 |
| 摘 要： | 采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1013,亚阈值摆幅为0.36V/dec。并在此厚度比的基础上,模拟了两层材料的隙态密度,并通过改变态密度模型中的相关参数,观察两层材料对器件的电学特性的影响情况。 |
| 关 键 词： | 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管 器件模拟 态密度 |
Simulation of an Amorphous Indium-gallium-zinc-oxide Thin Film Transistor with Double Active Layers |
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