高压SOI工艺SCR ESD保护器件研究 |
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作者单位: | ;1.中国电子科技集团公司第58研究所 |
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摘 要: | 针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压进行最优化的调整,同时不改变原有的高压工艺的特点。从而解决了在高压ESD保护领域,使用SCR做ESD保护器件容易引入闩锁效应的问题,是目前高压ESD保护领域较好的解决方案。
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关 键 词: | 静电放电 可控硅整流元件 维持电压 触发电压 |
Study on SCR on SOI for High Voltage ESD Protection |
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