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| 源漏区域孔阵列挖槽对氮化镓n型欧姆接触的影响 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 采用源漏区域孔阵列挖槽的方法降低氮化镓n型欧姆接触的合金温度,并改善合金后金属形貌。相对于非源漏区域孔阵列挖槽的氮化镓n型欧姆接触合金,合金温度可降低40℃,合金后源漏金属形貌尤其是金属侧边形貌显著改善,这对于提高相关器件及电路性能、成品率及可靠性很有好处。 |
| 关 键 词： | 孔阵列挖槽 接触电阻 合金温度 金属形貌 |
Effect of Hole Array Etching In Source/Drain Region on Gan N-type Ohmic Contact |
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| Keywords: | |