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| SiO_2/SiC界面陷阱对SiC MOSFET开关损耗的影响 | |
| 作者单位： | ;1.安徽工业大学电气与信息工程学院 |
| 摘 要： | 位于SiO_2/SiC界面处密度较高的陷阱,不仅俘获SiC MOSFET沟道中的载流子,而且对沟道中的载流子形成散射、降低载流子的迁移率,因而严重影响了SiC MOSFET的开关特性。目前商业化的半导体器件仿真软件中迁移率模型是基于Si器件开发,不能体现SiO_2/SiC界面处的陷阱对沟道中载流子的散射作用。通过引入能正确反映界面陷阱对载流子作用的迁移率模型,利用半导体器件仿真软件研究了界面陷阱对SiC MOSFET动态特性的影响。结果表明,随着界面陷阱密度的增加,SiC MOSFET开通过程变慢,开通损耗增加,而关断过程加快,关断损耗减小;但是由于沟道载流子数量的减少、导通电阻的增加,总损耗是随着界面陷阱密度的增加而增加。 |
| 关 键 词： | 界面陷阱 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 迁移率 损耗 |
Effect of SiO_2/SiC Interface Traps on the Switching Loss of SiC MOSFET |
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| Keywords: | |