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| Ku波段GaN一片式收发组件芯片 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 |
| 摘 要： | 报道了一款应用于Ku波段的GaN T/R MMIC。该芯片采用0.15μm GaN HEMT器件工艺制造,集成了T/R组件的接收通道和发射通道,芯片面积7.00mm×3.32mm。研制的MMIC集成了5位数字衰减器、5位数字移相器、前级低噪声放大器、后级低噪声放大器、驱动放大器、功率放大器、公用支路的小信号开关和收发切换的功率开关。在16~17GHz工作频带内测得该芯片接收通道增益大于21dB,噪声系数小于3.5dB;发射通道增益大于20.8dB,饱和功率大于40.8dBm,功率附加效率典型值30%。该芯片上集成的5位数字移相器、5位数字衰减器功能正常,达到设计要求。 |
| 关 键 词： | 氮化镓 Ku波段 收发 一片式收发组件芯片 |
GaN Single-chip T/R MMIC for Ku-band Applications |
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