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| 有机半导体在非对称金-石墨烯电极上的取向生长 | |
| 作者单位： | ;1.合肥工业大学光电技术院特种显示技术国家工程实验室省部共建现代显示技术国家重点实验室(培育基地)特种显示技术教育部重点实验室 |
| 摘 要： | 为了实现在微尺度范围内有机半导体的取向生长,提出了一种基于不对称金-石墨烯电极的底接触有机薄膜晶体管器件结构。半导体前驱体溶液在不同衬底上表现出的不同接触角将打破液体/空气界面处的表面张力与表面能的总体平衡,形成马兰戈尼流并促使溶液在低润湿性的石墨烯电极表面的接触线快速后退。实验结果表明,基于这种不对称电极制备的底接触有机薄膜晶体管(OTFT)阵列的平均迁移率显著提升,达到常规对称结构器件的2倍,同时器件迁移率的相对标准差从53%下降到33%。该不对称器件结构实现了半导体薄膜在器件沟道处的取向生长,从而提高了器件迁移率与均匀性。 |
| 关 键 词： | 有机薄膜晶体管 表面能 非对称沟道 喷墨打印 取向结晶 |
Directional Growth of Organic Semiconductor on Asymmetric Gold-Graphene Electrode |
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| Keywords: | |