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| FinFET静电可靠性及新型Fix-base SOI FinFET研究 | |
| 作者单位： | ;1.常州工学院;2.中国科学院微电子研究所 |
| 摘 要： | 在鳍型场效应晶体管(SOI FinFET)相关静电防护技术研究基础上,提出了一种新型的体区接触固定型绝缘体上硅鳍型场效应晶体管泄放钳位装置(Fix-base SOI FinFET Clamp)。该新型结构的器件解决了基区接触浮空在静电防护设计时引起的一系列问题,而且对正常的FinFET工艺具有良好的兼容性。通过计算机辅助工艺设计(TCAD)仿真论证了Fix-base SOI FinFET Clamp具有明显效果,详细阐述和讨论了SOI FinFET和Fix-base SOI FinFET Clamp工作状态下的电流和热分布。 |
| 关 键 词： | 静电可靠性 绝缘体上硅 鳍型场效应晶体管 体区固定型绝缘体上硅鳍型场效应晶体管泄放钳位装 |
Investigation on the Electrostatic Reliability of FinFET and Novel Fix-base SOI FinFET |
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