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| GaInAsP/InP激光器中与带间吸收、非辐射复合以及载流子泄漏有关的阈值电流的温度依赖性 | |
| 作者姓名： | M.浅田 屈积建 |
| 作者单位： | 东京技术研究所物理电子学分部 |
| 摘 要： | 根据增益、损耗和载流子寿命的测试结果,讨论了发射波长为1.5～1.6μm的GaInAsP/InP激光器的阈值电流对温度的依赖性。其结果表明,大约在超过室温后阈值电流迅速增加主要是带间吸收所致。考虑了因注入而引起的热效应,若使结构参数最佳化,则有希望在高达150℃的温度下实现连续工作。 |
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