大跨导n型Si／SiGe调制掺杂场效应晶体管

报道了第一支0．25um栅长n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管的制作和器件特性结果，器件用于超高真空／化学汽相淀积（UHV／CVD）制作的器件，在300K（77K）下，应变Si沟道的迁移率和电子薄层载流子的深度为1500（9500）cm2/V.s和2．5×10^12(1.5*10^10)cm^-2，器件电流和跨导分别为325mA/mm和600mS/mm，这些值远优于Si MESFET，它们可与所获得的GaAs/Al-GaAs调制掺杂晶体管的结果相媲美。