73GHz磷掺杂多晶硅发射极自对准SiGe基区双极晶体管 |
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作者姓名: | 李红宇 Crab. EF |
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摘 要: | 报道了一种用来制作自对准SiGe基区异质结双极晶体管降低热处理周期的磷发射极工艺,短的热处理周期导致极窄的基区宽度,并维持轻掺杂的隔离层不消失,这种隔离层是为了提高击穿特性而制作在发射极0基极和基极-集电极内的,已获得了35nm基区宽度的晶体管,其发射极-基极反向漏电小,峰值截止频率为73GHz,本征基区薄层电阻为16kΩ/□,用这些器件获得的最小NTL和ECL门延时分别为28和34ps。
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关 键 词: | 双极晶体管 掺杂 多晶硅 发射极 |
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