磷掺杂对a-Si∶H膜晶化特性的影响 |
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引用本文: | 张仿清,张亚非,余光明,陈光华.磷掺杂对a-Si∶H膜晶化特性的影响[J].无机材料学报,1988(1). |
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作者姓名: | 张仿清 张亚非 余光明 陈光华 |
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作者单位: | 兰州大学物理系
(张仿清,张亚非,余光明),兰州大学物理系(陈光华) |
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摘 要: | 本文介绍了不同磷掺杂浓度的 a-Si∶H 膜的结构和电学、光学性质。实验结果表明:轻度的磷掺杂有促进薄膜晶化的作用,从而形成非晶相和微晶相二相混合结构。但当掺磷气体流量比大于5%时,磷掺杂对该膜晶化有抑制作用。这可能是由于在不同掺磷浓度时磷原子在 a-Si∶H 膜中的配位状态不同所致。另外,适当控制工艺条件可以制成高电导(~15Ω~(-1)cm~(-1))和宽带隙(~1.92eV)的优质 n 型 a-Si∶H 膜。
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关 键 词: | 高电导宽带隙 晶化 磷掺杂 |
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