| 基于GaAs E/D PHEMT工艺的单片集成光接收芯片 |
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| 引用本文： | 安亚宁,徐晨,解意洋,潘冠中,王秋华,董毅博.基于GaAs E/D PHEMT工艺的单片集成光接收芯片[J].半导体技术,2018,43(6):419-424. |
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| 作者姓名： | 安亚宁 徐晨 解意洋 潘冠中 王秋华 董毅博 |
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| 作者单位： | 北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京,100124 |
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| 基金项目： | 北京市教委创新能力提升计划资助项目(PXM2016_ 014204_ 500034)，北京市自然科学基金资助项目(4172009) |
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| 摘 要： | 设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络(HFC)的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器(TIA)、衰减器(VVA)和输出放大器三部分.跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消方式实现信号衰减,输出放大器为芯片补足增益并实现阻抗匹配.使用ADS仿真软件进行电路设计、版图设计、仿真验证,采用GaAs 0.25μm E/D PHEMT工艺进行了流片.测试结果表明,芯片实现了42 dB的最大增益,在0～3V控制电压下,0～28 dB的连续可调增益范围,工作频率为50 MHz～1 GHz,差分输入单端输出,输出负载为75 Ω,芯片面积1 412 μm×1 207 μm,芯片性能符合设计目标.
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| 关 键 词： | 光接收芯片 GaAs E/D PHEMT工艺 单片集成电路(MIC) 跨阻放大器 衰减器 |
Monolithic Integrated Optical Receiver Chip Based on GaAs E/D PHEMT Technology |
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| An Yaning,Xu Chen,Xie Yiyang,Pan Guanzhong,Wang Qiuhua,Dong Yibo.Monolithic Integrated Optical Receiver Chip Based on GaAs E/D PHEMT Technology[J].Semiconductor Technology,2018,43(6):419-424. |
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| Authors: | An Yaning Xu Chen Xie Yiyang Pan Guanzhong Wang Qiuhua Dong Yibo |
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