| AlGaInP材料在高效多结太阳电池中的应用 |
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| 引用本文： | 张启明,张保国,孙强,方亮,王赫,杨盛华,张礼,罗超. AlGaInP材料在高效多结太阳电池中的应用[J]. 半导体技术, 2018, 43(7): 481-488,522. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.07.001 |
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| 作者姓名： | 张启明 张保国 孙强 方亮 王赫 杨盛华 张礼 罗超 |
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| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;中国电子科技集团公司第十八研究所,天津 300384;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;中国电子科技集团公司第十八研究所,天津,300384 |
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| 基金项目： | 河北省高层次人才资助项目百人计划项目(W2013100006) |
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| 摘 要： | AlGaInP材料在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中具有较高的带隙,是制备高效多结太阳电池中顶电池的理想材料之一.然而,在其金属有机气相外延(MOVPE)生长过程中的氧污染会形成深能级陷阱,这是影响材料质量的主要因素.探讨了影响AlGaInP材料带隙的几种工艺参数,包括Al含量、衬底偏角和生长温度.讨论了通过优化材料外延生长工艺和改进太阳电池结构,获得高质量AlGaInP子电池的几种技术途径,包括提高生长温度、生长速率和磷烷体积流量,以及采用Se作为发射区的n型掺杂剂和GaInP/AlGaInP异质结构.介绍了近年来AlGaInP材料在高效多结太阳电池领域的研究进展,包括正向晶格失配太阳电池、反向晶格失配太阳电池和半导体直接键合太阳电池,并对其未来的发展趋势进行了展望.
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| 关 键 词： | AlGaInP 氧污染 金属有机气相外延(MOVPE) 多结太阳电池 晶格失配 半导体直接键合 |
Application of AlGaInP Material in High-Efficiency Multi-Junction Solar Cells |
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| Zhang Qiming,Zhang Baoguo,Sun Qiang,Fang Liang,Wang He,Yang Shenghua,Zhang Li,Luo Chao. Application of AlGaInP Material in High-Efficiency Multi-Junction Solar Cells[J]. Semiconductor Technology, 2018, 43(7): 481-488,522. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.07.001 |
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| Authors: | Zhang Qiming Zhang Baoguo Sun Qiang Fang Liang Wang He Yang Shenghua Zhang Li Luo Chao |
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