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| 高能电子束纳米曝光系统的研制 | |
| 引用本文： | 田丰,韩立,顾文琪.高能电子束纳米曝光系统的研制[J].电子显微学报,2003,22(6):641-642. |
| 作者姓名： | 田丰 韩立 顾文琪 |
| 作者单位： | 中国科学院电工研究所,北京,100080 |
| 摘 要： | 微电子产业的飞速发展要求半导体器件的最小特征尺寸越来越小。传统的光学光刻技术由于受到光的衍射等限制，开始面临挑战。电子束曝光技术具有高分辨、长焦深、无需掩模等优点，成为下一代光刻技术中极具发展潜力的一种。 |
| 关 键 词： | 高能电子束纳米曝光系统 微电子产业 半导体器件 光学光刻技术 电子束曝光技术 高分辨 |
Development of high energy electron beam nano lithography system |
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