| 纳米Bi2O3-Y2O3快离子导体的制备 |
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| 作者姓名： | 甄强 何伟明 刘建强 潘庆谊 |
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| 作者单位： | 1. 上海大学材料学院,上海,200072;上海大学纳米中心,上海,200436
2. 上海大学材料学院,上海,200072
3. 上海大学理学院,上海,200436 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(20101006) |
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| 摘 要： | 以共沉淀法制备的纳米(75mol%Bi2O3+25mol%Y2O3)混合粉体作为原料,通过无压反应烧结工艺制备了纳米Bi2O3-Y2O3快离子导体.对烧结过程中高导电相(纳米δ-Bi2O3)的形成规律研究表明固溶反应发生在烧结过程的初期,在烧结过程中晶粒生长规律符合(D-Do)2=K·t抛物线方程.用模式识别技术对δ-Bi2O3相生成的工艺条件进行优化的工艺参数优化区为Y＞-1.846X+3.433(X=0.0059T+0.0101t,Y=-0.0059T+0.0101t,式中,T为烧结温度,t为烧结时间).在T=600℃,t=2h无压反应烧结条件下,纳米晶Bi2O3-Y2O3快离子导体材料的相对密度可达96%以上,并且微观结构致密均匀,很少有残留气孔和裂纹,平均晶粒尺寸在100nm以下.
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| 关 键 词： | 共沉淀法 无压反应烧结 纳米晶Bi2O3-Y2O3快离子导体 工艺优化 |
| 文章编号： | 1000-324X(2005)02-0393-08 |
| 收稿时间： | 2004-02-25 |
| 修稿时间： | 2004-05-10 |
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