| 硅片直接键合的微观动力学研究 |
| |
| 引用本文： | 何进,陈星弼,王新. 硅片直接键合的微观动力学研究[J]. 半导体技术, 1999, 24(6): 33-35 |
| |
| 作者姓名： | 何进 陈星弼 王新 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子所,成都,610054 |
| |
| 摘 要： | 基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线，定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值与实测表面能曲线相一致，初步确定了键合过程中界面发生的微观反应机理。
|
| 关 键 词： | 硅片直接键合 动力学模型 微观反应机理 |
| 修稿时间： | 19981010 |
Study on the Micro-Kinetics of Silicon Wafer Direct Bonding |
| |
| He Jin,Chen Xingbi,Wang Xin. Study on the Micro-Kinetics of Silicon Wafer Direct Bonding[J]. Semiconductor Technology, 1999, 24(6): 33-35 |
| |
| Authors: | He Jin Chen Xingbi Wang Xin |
| |
| Affiliation: | He Jin,Chen Xingbi,Wang Xin(Institute of Microelectronics,University of science and Technology,Chengdu 610054) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Silicon wafer direct bonding Kinetic model Micro-mechanism |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
