| 高k栅介质材料的研究进展 |
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| 引用本文： | 蔡苇,符春林,陈刚.高k栅介质材料的研究进展[J].半导体技术,2007,32(2):97-100. |
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| 作者姓名： | 蔡苇 符春林 陈刚 |
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| 作者单位： | 重庆科技学院,冶金与材料工程学院,重庆,400050;重庆科技学院,冶金与材料工程学院,重庆,400050;重庆科技学院,冶金与材料工程学院,重庆,400050 |
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| 基金项目： | 重庆科技学院科技创新团队建设工程项目 |
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| 摘 要： | 综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展.提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题.
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| 关 键 词： | 高k栅介质 SiO2栅介质 等效氧化物 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）02-0097-04 |
| 修稿时间： | 2006-06-29 |
Progress of High k Materials as Gate Dielectrics |
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| CAI Wei,FU Chun-Lin,CHEN Gang.Progress of High k Materials as Gate Dielectrics[J].Semiconductor Technology,2007,32(2):97-100. |
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| Authors: | CAI Wei FU Chun-Lin CHEN Gang |
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| Affiliation: | Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 400050, China |
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| Abstract: | Some problems of SiO2 gate dielectrics, requirements for high k materials as MOSFET gate dielectrics and the latest development of high k gate dielectrics instead of traditional SiO2 were reviewed. The issues to be solved in the development of high k materials were also pointed out. |
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| Keywords: | high k gate dielectrics SiO2 gate dielectrics equivalent oxide |
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