| 功率型LED电压温度系数的研究 |
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| 引用本文： | 张海兵,吕毅军,李开航,陈焕庭,高玉琳,陈忠. 功率型LED电压温度系数的研究[J]. 光电子．激光, 2008, 19(12) |
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| 作者姓名： | 张海兵 吕毅军 李开航 陈焕庭 高玉琳 陈忠 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,福建省半导体照明工程技术研究中心,福建,厦门,361005;厦门大学物理系,福建省半导体照明工程技术研究中心,福建,厦门,361005;厦门大学物理系,福建省半导体照明工程技术研究中心,福建,厦门,361005;厦门大学物理系,福建省半导体照明工程技术研究中心,福建,厦门,361005;厦门大学物理系,福建省半导体照明工程技术研究中心,福建,厦门,361005;厦门大学物理系,福建省半导体照明工程技术研究中心,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) ， 福建省科研项目 ， 福建省厦门市资助项目 |
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| 摘 要： | 理论上详细分析了LED正向电压随温度变化的物理机理,并在大的电流范围(0.1～200 mA)和温度范围(60～350 K)内,对AlGaInP、InGaN材料系功率型LED正向电压随温度的变化关系进行了系统的实验研究.发现在恒定电流下,两者的变化关系可分为高温区和低温区两段.在高温区两者为线性反比关系,并且电压温度系数与正向电流有关,在低温区正向电压随温度减小而突然急剧增大.理论很好地解释了实验结果.
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| 关 键 词： | 功率型LED 结温 电压温度系数 温度传感器 |
Research on voltage-temperature coefficient of high power light-emitting diodes |
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| ZHANG Hai-bing,LU Yi-jun,LI Kai-hang,CHEN Huan-ting,GAO Yu-lin,CHEN Zhong. Research on voltage-temperature coefficient of high power light-emitting diodes[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2008, 19(12) |
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| Authors: | ZHANG Hai-bing LU Yi-jun LI Kai-hang CHEN Huan-ting GAO Yu-lin CHEN Zhong |
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| Affiliation: | ZHANG Hai-bing,LU Yi-jun,LI Kai-hang,CHEN Huan-ting,GAO Yu-lin,CHEN Zhong(Department of Physics,Xiamen University,Fujian Engineering Research Center for Solid-state Lighting,Xiamen 361005,China) |
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| Abstract: | The physical mechanism of the forward voltage as a function of the junction temperature in light-emitting diodes(LEDs) was analyzed in detail.And experimental investigation was carried out systematically on the relationship between the forward voltage and the junction temperature in AlGaInP and InGaN high-power LEDs over wide current range(0.1-200 mA) and temperature range(60-350 K).It is discovered that at a constant current,the relationship may be divided into two segments,i.e.in the high temperature regi... |
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| Keywords: | high-power LED junction temperature voltage-temperature coefficient temperature sensors |
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