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| 0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术 | |
| 作者姓名： | 王庆学 |
| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203 |
| 基金项目： | Shanghai Postdoctoral Scientific Program |
| 摘 要： | 分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制.结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素.界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降是导致先进深亚微米NMOSFETS电学特性退化的根本原因. |
| 关 键 词： | SEEI 界面缺陷 电荷泵 |
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