| 应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展 |
| |
| 引用本文： | 王平,杨银堂,徐新艳,杨桂杰. 应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展[J]. 真空科学与技术学报, 2002, 22(4): 274-281 |
| |
| 作者姓名： | 王平 杨银堂 徐新艳 杨桂杰 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,西安,710071 |
| |
| 基金项目： | 国防科技预研基金资助项目 (No .99J8.3 .2 .DZ0 13 7)，教育部“跨世纪优秀人才培养基金”资助项目 |
| |
| 摘 要： | 本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体(ECR) ,感应耦合等离子体 (ICP) ,螺旋波等离子体 (HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1] 的工作原理及结构重点作了分析讨论 ,并从运行参数上对其进行了比较。最后对高密度等离子体工艺加工中的等离子体约束以及器件损伤问题的最新研究进展进行了介绍
|
| 关 键 词： | 高密度等离子体源 电子回旋共振 感应耦合等离子体 螺旋波等离子体 器件损伤 |
| 文章编号： | 0253-9748(2002)04-0274-08 |
| 修稿时间： | 2001-11-26 |
Latest Development of High Density Plasma Sources Used in Very-Large-Scale-Integrated Circuits Fabrication |
| |
| Wang Ping,Yang Yintang,Xu Xinyan,Yang Guijie. Latest Development of High Density Plasma Sources Used in Very-Large-Scale-Integrated Circuits Fabrication[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2002, 22(4): 274-281 |
| |
| Authors: | Wang Ping Yang Yintang Xu Xinyan Yang Guijie |
| |
| Abstract: | Plasma generation and the conventional radio frequency (rf) capacitively coupled diode plasma source were briefly discussed.Discussion focuses on the operating principles and structures of the newly developed high density plasma sources,including electron cyclotron resonance (ECR),inductively coupled plasma (ICP) and helicon wave plasma (HWP).Comparisons of the technical specifications of these plasma sources were made.The latest development involving multi polar confinement and plasma induced damages to the devices are also discussed. |
| |
| Keywords: | High density plasma sources Electron cyclotron resonance Inductively coupled plasma Helicon wave plasma Plasma induced damages |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
