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Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟
引用本文:杨维明,陈建新,邹德恕,史辰,李振国,高铭洁. Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟[J]. 半导体技术, 2004, 29(11): 41-44
作者姓名:杨维明  陈建新  邹德恕  史辰  李振国  高铭洁
作者单位:北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022
摘    要:用实验测量和理论计算相结合的方法提取了Si/SiGe异质结晶体管的直流和高频参数,分别在PSPICE和MATLAB软件平台上模拟并分析了器件的直流和高频特性,模拟结果与实际测量的结果相吻合,表明本文的提取方法可行、参数提取结果有效.

关 键 词:异质结晶体管  PSPICE  MATLAB  模拟
文章编号:1003-353X(2004)11-0041-04
修稿时间:2003-10-04

Parameters Extraction of SiGe HBTs and the Simulation of Its Performances
YANG Wei-ming,CHEN Jian-xin,ZOU De-shu,SHI Chen,LI Zhen-guo,GAO Ming-jie. Parameters Extraction of SiGe HBTs and the Simulation of Its Performances[J]. Semiconductor Technology, 2004, 29(11): 41-44
Authors:YANG Wei-ming  CHEN Jian-xin  ZOU De-shu  SHI Chen  LI Zhen-guo  GAO Ming-jie
Abstract:The direct current and high frequency parameters of SiGe HBTs were extracted byexperimental measurement and calculation. The direct current and high frequency performances havebeen simulated and analyzed on the software platform of PSPICE and MATLAB. The results ofsimulation are in good agreement with that of test. It indicates that the parameters based on theextracting method are reliable.
Keywords:HBT  PSPICE  MATLAB  simulation
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