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| 用于离子注入的高能大束流射频加速器的设计研究 | |
| 引用本文： | Thom.,RW 吴健昌.用于离子注入的高能大束流射频加速器的设计研究[J].微细加工技术,1990(1):67-72. |
| 作者姓名： | Thom. RW 吴健昌 |
| 摘 要： | 离子注入是半导体器件制造中一项很重要的工艺,由于微电子工业对具有MeV级能量的离子注入的兴趣日益增长,对高能离子束的要求也日益迫切,此外,在某些应用中,需要有高达10~(18)离子/厘米~2的注入剂量,这就意谓着高能离子束必须具有大束流。对于高能、大束流这两项要求,射频linac(直线加速器)系统都可很好地满足。本文根据几种新型linac结构 |
| 关 键 词： | 离子注入 射频加速器 |
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