首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

新型稀土掺杂Ⅲ—Ⅴ族半导体发光与激光器件研究进展
作者姓名:周济  袁佑荣
作者单位:中国科学院长春物理所,中国科学院长春物理所
摘    要:一、引言固体中稀土离子的内壳层4f跃迁产生出尖锐的窄带发光,其光子能量几乎不受基质材料和温度的影响,这些特点使稀土离子在激光和发光材料、器件中得到了广泛应用。

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号