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GIS内部典型缺陷电场分析研究
摘    要:随着电网电压和系统容量不断增加,气体绝缘组合电器(GIS,Gas Insulated Switchgear)内部故障频频发生,为了研究GIS设备内部典型缺陷局部放电发展与电场强度的关系,基于有限元分析方法对试验情况进行仿真验证。从仿真结果可知:GIS设备内部典型缺陷仿真结果与试验结果基本符合;对于悬浮毛刺缺陷,毛刺越长和离高压导体越近电场强度越大;高压导体毛刺、地电极毛刺和盆式绝缘子固定金属毛刺符合SF6气体电离放电发展理论,大于临界值放电才有可能发展。通过试验和仿真可以得知:电压越大,闪络的电压越大;提出了放电临界值理论,而且应用于分析GIS设备内部缺陷闪络的机理并通过试验验证。因此对于运行设备局部放电具有一定指导作用。


Analysis and Study on Typical Defect Field for CIS Interior
Abstract:
Keywords:
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