| 基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件 |
| |
| 引用本文： | 刘道广,郝跃,徐世六,李开成,刘玉奎,何开全,刘嵘侃,张静,刘伦才,徐婉静,李荣强,陈光炳,徐学良.基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件[J].半导体学报,2005,26(3):528-531. |
| |
| 作者姓名： | 刘道广 郝跃 徐世六 李开成 刘玉奎 何开全 刘嵘侃 张静 刘伦才 徐婉静 李荣强 陈光炳 徐学良 |
| |
| 作者单位： | [1]中国电子科技集团电子24所,重庆400060／／国家模拟集成电路重点实验室,重庆400060 [2]西安电子科技大学微电子所,西安710071／／中国电子科技集团电子24所,重庆400060／／国家模拟集成电路重点实验室,重庆400060 [3]西安电子科技大学微电子所,西安710071 |
| |
| 摘 要： | 在模拟集成电路的应用中，不仅注重器件fT，而且注重晶体管最高振荡频率（fmax）．文中以MBE生长的SiGe材料为基础，进行了提高SiGe HBT器件fmax的研究，研制出了fmax＝157GHz的SiGe HBT器件
|
| 关 键 词： | 自对准 空气桥 SiGe合金材料 SiGeHBT 器件 Based 研究 材料 生长 最高振荡频率 晶体管 应用 集成电路 模拟 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)03-0528-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月22日 |
SiGe HBT with fmax of 157GHz Based on MBE |
| |
| Liu Daoguang ,,Hao Yue ,Xu Shiliu ,Li Kaicheng ,Liu Yukui ,He Kaiquan ,Liu Rongkan ,Zhang Jing ,Liu Luncai ,Xu Wanjing ,Li Rongqiang ,Chen Guangbing ,and Xu Xueliang.SiGe HBT with fmax of 157GHz Based on MBE[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3):528-531. |
| |
| Authors: | Liu Daoguang Hao Yue Xu Shiliu Li Kaicheng Liu Yukui He Kaiquan Liu Rongkan Zhang Jing Liu Luncai Xu Wanjing Li Rongqiang Chen Guangbing and Xu Xueliang |
| |
| Affiliation: | Liu Daoguang 1,2,3,Hao Yue 1,Xu Shiliu 2,3,Li Kaicheng 2,3,Liu Yukui 2,3,He Kaiquan 2,3,Liu Rongkan 2,3,Zhang Jing 2,3,Liu Luncai 2,3,Xu Wanjing 2,3,Li Rongqiang 2,3,Chen Guangbing 2,3,and Xu Xueliang 2,3 |
| |
| Abstract: | For analog IC applications,not only f T of Si transistor is concerned,but f max of Si transistors is also concerned.In this study,the research for improvement on SiGe HBT f max of 157GHz has been undertaken based on MBE SiGe materials. |
| |
| Keywords: | self-align air bridge SiGe material |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
