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分类号
杂志ISSN号
193nm与x射线光刻技术比较
作者姓名:
谢常青 叶甜春
作者单位:
中国科学院微电子中心三室
摘 要:
分别从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面择193nm与x射线光刻技术进行了对比分析,介绍了目前它们的一些进展情况,并对它们的应用前景进行了简要分析。
关 键 词:
光源 照明系统 掩模 光刻胶 光刻机 激光技术 IC
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