| 基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟 |
| |
| 引用本文： | 余志平,田立林.基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟[J].半导体学报,2006,27(13):248-251. |
| |
| 作者姓名： | 余志平 田立林 |
| |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所，北京 100084;清华大学微电子学研究所，北京 100084 |
| |
| 摘 要： | 随着器件沟道长度的不断缩小，多栅结构（包括FinFET）被普遍认为是有效改进Ion/Ioff的手段. 量子力学效应对MOSFET中载流子分布和输运的影响已被认识和研究多年. 在沟道截面被局限在数纳米量级时，一个更基本的固体物理问题，即能带或电子结构对材料几何尺寸的依赖性，逐渐显现出来并对器件特性产生不可忽略的影响. 本文讨论如何从第一原理出发，高效率地计算沟道区的能带结构. 在得到载流子的输运参数（有效质量、迁移率等）的基础上，通过直接求解带开放边界条件的薛定谔方程以得到器件的电学特性. 考虑到应力对能带结构和散射机制的影响，还研究了载流子迁移率与晶向的关系.
|
| 关 键 词： | MOSFET 能带结构 纳米 器件模拟 |
Device Simulation of Nano-Scale MOSFETs Based on Bandstructure Calculation |
| |
| Yu Zhiping and Tian Lilin.Device Simulation of Nano-Scale MOSFETs Based on Bandstructure Calculation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(13):248-251. |
| |
| Authors: | Yu Zhiping and Tian Lilin |
| |
| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MOSFET bandstructure nano-scale device simulation |
|
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
