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| 新型双桥结构硅压力传感器 | |
| 引用本文： | 岳瑞峰,刘理天,李志坚. 新型双桥结构硅压力传感器[J]. 电子器件, 2000, 23(4): 243-247 |
| 作者姓名： | 岳瑞峰 刘理天 李志坚 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 北京 100084 |
| 摘 要： | 在利用有限元法分析硅杯结构应力分布的基础上，设计制造了两种新型双惠斯登电桥结构压力传感器。其中力敏电桥位于膜片上的高应力区，补偿电桥位于膜片对角线上或膜片附近逐渐增厚的体硅区，并且组成每个电桥的四个电阻集中设置在同一区域。提出了一种将力敏电桥和补偿电桥的输出信号相减的新方法，可望明显减小威力传感器的温漂。 |
| 关 键 词： | 压力传感器 惠斯登电桥 零点温漂 有限元法 |
| 文章编号： | 1005-9490(2000)04-243-05 |
| 修稿时间： | 2000-05-11 |
Silicon Pressure Sensor with Novel Double Wheatston-bridge Configuration |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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