| 常压CVD法制备氮氧化硅薄膜沉积特性的研究 |
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| 引用本文： | 丁新更,杨辉,孟祥森. 常压CVD法制备氮氧化硅薄膜沉积特性的研究[J]. 硅酸盐学报, 2003, 31(11): 1086-1090 |
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| 作者姓名： | 丁新更 杨辉 孟祥森 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学纳米科学与技术中心,硅材料科学国家重点实验室,杭州,310027
2. 浙江省建筑科学设计研究院,杭州,310012 |
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| 基金项目： | 浙江省重大科技计划资助项目(0221101562) |
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| 摘 要： | 采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si—O—N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素。在φ(NH_3):φ(SiH_4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相反应过程控制,薄膜沉积厚度与沉积时间成线性关系,反应速率为常数1640 nm/min,表面活化能为283 kJ/mol。通过SEM分析发现:氮氧化硅薄膜的形成方式符合三维成核模型,即反应初期Si,N,O等原子在基板表面相遇结合在一起形成原子团,一定数量的原子团构成临界核;反应中期临界核长大为岛状结构,岛不断长大,岛与岛之间相互接合形成通道网络结构;反应后期,原子不断填补网络空洞,最后成为连续薄膜。
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| 关 键 词： | 化学气相沉积 氮氧化硅 薄膜 三维成核 |
| 文章编号： | 0454-5648(2003)11-1086-05 |
| 修稿时间： | 2003-04-18 |
STUDY OF DEPOSITION CHARACTER OF SILICON OXYNITRIDE THIN FILMS PREPARED BY ATMOSPHERIC PRESSURE CVD |
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| DING Xingeng,YANG Hui,MENG Xiangsen. STUDY OF DEPOSITION CHARACTER OF SILICON OXYNITRIDE THIN FILMS PREPARED BY ATMOSPHERIC PRESSURE CVD[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2003, 31(11): 1086-1090 |
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| Authors: | DING Xingeng YANG Hui MENG Xiangsen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical vapor deposition silicon oxynitride thin film three-dimension nucleation |
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