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| 深紫外正性抗蚀剂聚甲基异丙烯基酮的增敏与改性 | |
| 作者姓名： | 陈扬中 毛临淵 徐僖 |
| 作者单位： | 成都科技大学高分子材料科学系，成都科技大学高分子材料科学系，成都科技大学高分子材料科学系 |
| 摘 要： | 近年来为制造超大规模集成电路(VLSI)需要获得超细线条。人们对电子束和X-射线复印技术进行了大量的研究和开发工作,但由于技术复杂和设备昂贵还难以进入实用阶段。虽然电子束曝光方法已能制备1 u或亚微米细线图形的掩模,但是把这种技术用于大生产中复印器件图形是很不经济的。因而人们把注意力移向深紫外复印技术上。有关这种技术的特点和优点已在许多文章中报导过 |
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