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| 900mm高功率半导体激光器线阵列 | |
| 作者姓名： | 辛国锋 冯荣珠 陈国鹰 花吉珍 |
| 作者单位： | [1]河北工业大学信息学院电子所，天津300130 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050021 |
| 摘 要： | 利用金属有机化台物气相淀积(MOCVD）技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列，其峰值波长为900nm，光谱半高全宽小于4nm，在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下．输出峰值功率接近60W（室温，电流87A)，斜率效率为0．64W／A。 |
| 关 键 词： | 半导体激光器线阵列 金属有机化台物气相淀积 单量子阱 材料结构 制作工艺 |
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