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A comparative study of atomic layer deposition of Al2O3 and HfO2 on AlGaN/GaN
Authors:Xiaoye Qin  Lanxia Cheng  Stephen McDonnell  Angelica Azcatl  Hui Zhu  Jiyoung Kim  Robert M. Wallace
Affiliation:1. Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75080, USA
Abstract:
Keywords:
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