| Ge(211)衬底上分子束外延CdTe薄膜 |
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| 引用本文： | 李艳辉,杨春章,苏栓,谭英,高丽华,赵俊.Ge(211)衬底上分子束外延CdTe薄膜[J].红外技术,2011,33(10):598-601. |
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| 作者姓名： | 李艳辉 杨春章 苏栓 谭英 高丽华 赵俊 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,云南昆明,650223 |
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| 摘 要： | 采用分子束外延在3英寸Ge(211)衬底上生长了10 μm厚的CdTe(211)B薄膜.CdTe表面镜面光亮,3英寸范围厚度平均值9.72 μm,偏差0.3 μm;薄膜晶体质量通过X射线双晶迴摆曲线进行评价,FWHM平均值80.23 arcsec,偏差3.03 arcsec; EPD平均值为4.5×106cm-2.通过...
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| 关 键 词： | 分子束外延(MBE) CdTe薄膜 半峰宽(FWHM) 腐蚀坑密度(EPD) |
Heteroepitaxy of CdTe on Ge(211) Substrates by Molecular Beam Epitaxy |
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| LI Yan-hui,YANG Chun-zhang,SU Shuan,TANG Ying,GAO Li-hua,ZHAO Jun.Heteroepitaxy of CdTe on Ge(211) Substrates by Molecular Beam Epitaxy[J].Infrared Technology,2011,33(10):598-601. |
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| Authors: | LI Yan-hui YANG Chun-zhang SU Shuan TANG Ying GAO Li-hua ZHAO Jun |
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| Affiliation: | LI Yan-hui,YANG Chun-zhang,SU Shuan,TANG Ying,GAO Li-hua,ZHAO Jun(kunming institute of physics,Kuning 650223,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MBE CdTe film FWHM EPD |
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