|
|||||
|
|
| InAs/GaSb Ⅱ型超晶格中波红外光电二极管的硫化研究 | |
| 引用本文： | 郭杰,刘应开,彭震宇,孙维国.InAs/GaSb Ⅱ型超晶格中波红外光电二极管的硫化研究[J].红外与激光工程,2011(9):1614-1617,1639. |
| 作者姓名： | 郭杰 刘应开 彭震宇 孙维国 |
| 作者单位： | 云南师范大学物理与电子信息学院;洛阳光电技术发展中心; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(10764005) |
| 摘 要： | 采用分子束外延( MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构InAs(8 ML)/GaSb(8 ML)超晶格材料,响应光谱显示截止波长在5μm附近.通过腐蚀、光刻、溅射等工艺,制备了pin结构中波红外光电二极管.采用(NH4)2S+ZnS双层硫化对二极管表面进行钝化,(NH4)2S硫化后的二极管表面漏电流密度降低一... |
| 关 键 词： | InAs/GaSb超晶格 红外探测器 表面漏电 硫化 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |