| 直拉硅单晶中位错的光致发光 |
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| 引用本文： | 李东升,杨德仁,S.Pizzini.直拉硅单晶中位错的光致发光[J].半导体学报,2004,25(9). |
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| 作者姓名： | 李东升 杨德仁 S.Pizzini |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
2. Department of Material Science,University of Picocca,Milan,Italy |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金，中-意合作项目 |
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| 摘 要： | 利用低温光致发光谱研究了直拉硅单晶中位错的光致发光.实验发现普通直拉硅单晶在晶体生长过程中引入的位错密度高于107cm-2时,位错的发光光谱出现了典型的位错D1～D4发光峰;而位错密度较低时,光谱中没有出现D1发光峰.而对于掺氮直拉硅单晶中的位错,其发光光谱在0.75～0.85eV范围内均出现了与低位错密度普通直拉硅单晶相同的较宽的谱峰.而且当含氮直拉硅单晶中位错密度高于107cm-2时,在0.75～0.85eV范围内则出现了明显的与原生氧沉淀相关的发光峰.可以认为硅单晶生长过程中引入的位错的发光特性是与位错生成过程中加速了氧沉淀的生成速度以及氮杂质的存在促进氧沉淀生成相关.
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| 关 键 词： | 位错 氧沉淀 光致发光 |
Photoluminescence of Dislocations in Czochralski Silicon Induced During Crystal Growth |
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| Keywords: | |
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