| HALO结构pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下应力相关的热载流子退化 |
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| 引用本文： | 胡靖,赵要,许铭真,谭长华.HALO结构pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下应力相关的热载流子退化[J].半导体学报,2004,25(4):436-440. |
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| 作者姓名： | 胡靖 赵要 许铭真 谭长华 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了超薄栅(2.5nm)短沟HALO-pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性.随着应力电压的变化,器件的退化特性也发生了改变.在加速应力下寿命外推方法会导致过高地估计器件寿命.在高场应力下器件退化是由空穴注入或者电子与空穴复合引起的,随着应力电压的下降器件退化主要是由电子注入引起的.最后,给出了两种退化机制的临界电压并在实验中得到验证.
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| 关 键 词： | 热载流子 一次碰撞电离 二次碰撞电离 复合 |
Stress-Dependent Hot Carrier Degradation for pMOSFETs Structure Under Stress Mode Vg=Vd/2 |
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