| 一个描述硅原子团簇退火行为的模型 |
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| 引用本文： | 于民,黄如,张兴,王阳元,Kunihiro Suzuki,Hideki Oka. 一个描述硅原子团簇退火行为的模型[J]. 半导体学报, 2004, 25(10) |
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| 作者姓名： | 于民 黄如 张兴 王阳元 Kunihiro Suzuki Hideki Oka |
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| 作者单位： | 1. 北京大学微电子所,北京,100871
2. Fujistu Laboratories LTD,Atsugi-shi,243-0197,Japan |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 在考虑硅原子团簇的尺寸对其俘获半径的影响的基础上提出了一个改进的模型,来描述团簇的退火行为,并给出了点缺陷的表面复合速率的表达式.为了验证此模型,给出了动力学蒙特卡洛方法的模拟结果,模拟结果与实验结果相吻合.通过表面复合速率的模拟结果和模型的对比,模型得到了验证.分析表明团簇尺寸对其退火行为有明显的影响.
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| 关 键 词： | 退火 缺陷 硅 模型 |
A Model Describing Annealing of Si Clusters |
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