| 基于蓝宝石衬底的高性能AlGaN/GaN二维电子气材料与HEMT器件 |
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| 引用本文： | 张进城,郝跃,王冲,王峰祥.基于蓝宝石衬底的高性能AlGaN/GaN二维电子气材料与HEMT器件[J].半导体学报,2004,25(10). |
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| 作者姓名： | 张进城 郝跃 王冲 王峰祥 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国防预研基金 |
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| 摘 要： | 利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了高性能的AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,室温和77K温度下的电子迁移率分别为946和2578cm2/(V*s),室温和77K温度下2DEG面密度分别为1.3×1013和1.27×1013cm-2.并利用AlGaN/GaN二维电子气材料制造出了高性能的HEMT器件,栅长为1μm,源漏间距为4μm,最大电流密度为485mA/mm(VG=1V),最大非本征跨导为170mS/mm(VG=0V),截止频率和最高振荡频率分别为6.7和24GHz.
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| 关 键 词： | MOCVD AlGaN/GaN 二维电子气 HEMT |
Super AlGaN/GaN Two-Dimensional Electron Gas Materials and HEMT Devices on Sapphire Substrates |
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