| 阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型 |
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| 引用本文： | 郭宇锋,李肇基,张波,方健. 阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型[J]. 半导体学报, 2004, 25(12) |
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| 作者姓名： | 郭宇锋 李肇基 张波 方健 |
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| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心,成都,610054 |
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| 摘 要： | 提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷(SBOC)SOI新型高压器件,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型,对阶梯数 n 从0到∞时的器件击穿特性进行了研究.结果表明,该结构突破常规SOI结构纵向耐压极限,使埋氧层电场从常规75V/μm提高到500V/μm以上;同时得到均匀的表面电场分布,缓解了器件尺寸和击穿电压之间的矛盾,因此SBOC结构是一种改善SOI耐压的良好结构.
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| 关 键 词： | SOI 埋氧层固定电荷 击穿电压 模型 |
Breakdown Model and New Structure of SOI High Voltage Devices with Step Buried Oxide Fixed Charges |
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