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| 用GaAs MMIC实现2.1GHz的预失真线性化单片 | |
| 引用本文： | 许晓丽,张斌,邵凯. 用GaAs MMIC实现2.1GHz的预失真线性化单片[J]. 半导体学报, 2004, 25(3) |
| 作者姓名： | 许晓丽 张斌 邵凯 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 介绍了一种预失真线性化单片电路,该电路单电源工作,采用预失真技术结合有源反馈的方法,完成了单片预失真线性化电路的研制.预失真线性化单片电路采用75mm GaAs MMIC工艺研制,芯片面积约为4mm2.结果表明,2.1GHz时此预失真单片电路可改善放大器的三阶互调分量9dB. |
| 关 键 词： | 微波单片集成电路 预失真 线性化 三阶互调功率比 邻信道泄漏功率比 |
A 2.1GHz Pre-Distortion Linearity GaAs MMIC |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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