| 偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计 |
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| 引用本文： | 安俊明,李健,郜定山,夏君磊,李建光,王红杰,胡雄伟.偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计[J].半导体学报,2004,25(11). |
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| 作者姓名： | 安俊明 李健 郜定山 夏君磊 李建光 王红杰 胡雄伟 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,北京,100083;内蒙古大学物理系,呼和浩特,010021
2. 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以深刻蚀和热氧化工艺为基础,提出了一种新的阵列波导光栅(AWG)制备技术.这一工艺可使AWG中的波导侧向留有一硅层.采用有限元法和有限差分束传播法分别计算了存在这一硅层时的波导应力分布和有效折射率.结果表明由于这一侧向硅层的存在,使AWG中波导在水平和垂直方向的应力趋于一致,AWG的偏振相关波长明显减小.
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| 关 键 词： | 硅基二氧化硅 阵列波导光栅 应力 双折射 偏振相关波长 数值分析 |
Polarization-Insensitive Silica on Silicon Arrayed Waveguide Grating Design |
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| An Junming,Li Jian,Gao Dingshan,Xia Junlei,Li Jianguang,Wang Hongjie,Hu Xiongwei.Polarization-Insensitive Silica on Silicon Arrayed Waveguide Grating Design[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(11). |
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| Authors: | An Junming Li Jian Gao Dingshan Xia Junlei Li Jianguang Wang Hongjie Hu Xiongwei |
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| Abstract: | A new technology for fabrication of silica on silicon arrayed waveguide grating (AWG) based on deep etching and thermal oxidation is presented.Using this method,a silicon layer is remained at the side of waveguide.The stress distribution and effective refractive index of waveguide fabricated by this approach are calculated using finite element and finite difference beam propagation method,respectively.The results of these studies indicate that the stress of silica on silicon optical waveguide can be matched in parallel and vertical direction and AWG polarization dependent wavelength (PDλ) can be reduced effectively due to side-silicon layer. |
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| Keywords: | silica on silicon arrayed waveguide grating stress birefringence polarization dependent wavelength numerical analysis |
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